三星旨在通过未来的3D NAND技术实现PB级SSD，但不会在2030年之前上市

三星已经讨论了未来的3D NAND技术，计划提供高达Petabytes容量的SSD，尽管这可能要在十年后才能实现。 三星电子计划在未来十年内将其3D NAND技术推向五级单元缩放。 今年的中国闪存市场峰会（CFMS2023）上，三星电子与其他知名闪存公司一起参加了此次活动，如美光、Kioxa、Arm、Solidigm和Phison等。三星电子向观众介绍了“闪存的再进化和走向新时代”的主题，并强调了该公司具有高水平记忆容量的能力以及在其3D NAND闪存中实现如此高容量所面临的挑战。

三星电子NAND产品规划组的副总裁/总经理Kyungryun Kim解释说，物理缩放、逻辑缩放和封装技术这三个层面不仅在不断发展，而且从理论上讲能够达到1PB（即1024TB）的容量。然而，按照当前技术标准，公司要实现这一目标还需要十年时间。此外，该公司正在寻求利用四级单元技术来制造更多内存设备，并专注于使该技术更加娴熟。

在讨论达到五级容量的演进路径时，该公司还展示了PM1743系列PCIe 5.0固态硬盘(SSD)。新的PM1743系列比以前的型号节能高达40％，并已经测试过与英特尔和AMD PCIe Gen 5平台兼容。

三星一直在讨论其技术进步方面保持沉默，尤其是3D NAND存储器。该公司正在继续寻找方法将四级单元的3D NAND设备推向公众，并实现更广泛的采用率。三星认为，专注于新型控制器技术将有助于实现这些目标。目前，该公司通过物理缩放3D NAND设备。然而，该公司需要研究逻辑缩放以使内存设备访问超过一千层以上。逻辑缩放将允许增加每个单元中存储的信息位数。

虽然三星对其技术保持沉默，但竞争对手Kioxia则更加透明地介绍了其发展情况。2019年，该公司推出了五级单元的3D NAND存储器，可以每个单元存储多达五个位（5 bpc）。两年后，Kioxia突破了5 bpc技术并达到6 bpc。该公司表示他们也在研究是否能够提高至8 bpc，并创建一个八级单元的3D NAND 存储器件 。目前为止, 该公司还没有达到如此高度。

每个单元中存储多个位数会给许多3D NAND制造商带来很多挑战。识别能够存储各种电压状态的材料，同时又能够区分它们以防止干扰是所有公司目前都在努力克服的障碍之一。此外，他们需要开发纠错技术来保持数据完整性，因为每个单元中存储的位数增加了。